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描述
核心工艺能力
部分工艺设备
  • 全自动RCA标准清洗机
    全自动RCA标准清洗机
  • 步进投影光刻机
    步进投影光刻机
  • 磁控溅射台
    磁控溅射台
  • 电子束蒸发台
    电子束蒸发台
  • 四管卧式高温炉
    四管卧式高温炉
  • 硅基深反应离子蚀刻机
    硅基深反应离子蚀刻机
  • 晶圆薄膜应力测量仪
    晶圆薄膜应力测量仪
  • 膜厚仪
    膜厚仪
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    干法硅刻蚀（深宽比>15:1，线宽4μm）
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    碳化硅刻蚀（刻蚀宽度10μm，深度5μm）
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    多晶硅薄膜生长（片内/片间均匀性≤2%）
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    聚合物填充电隔离结构（静电微镜应用）
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    电镀铜结构与深硅刻蚀释放（电磁微镜应用）
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    SOI双面异向DRIE释放（电热微镜应用）
工艺开发能力-部分案例
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